고전력 디바이스를
기술의 출발점은 언제나 기초에서 결정됩니다.
화려하지 않아도, 산업을 움직이는 기반.
이 한 조각이, 수많은 기술의 시작이 됩니다.
기술은 여기서 태어나, 세상으로 나아갑니다.
폴리싱 웨이퍼
AP 칩, DRAM, Flash, MCU, PMIC, 센서집, 일반 IC, 로직 디바이스 등 광범위한 반도체 제조용
에피택셜 웨이퍼
SOI 웨이퍼
아르곤 어닐링 웨이퍼
SiC 에피택셜 웨이퍼
실리콘 기반 GaN 에피택셜 웨이퍼
웨이퍼 유형 선택
제품 사양
광택(POLISHED) 웨이퍼
지름
100mm / 125mm / 150mm /200mm
도핑
약하게 도핑됨 / 강하게 도핑됨
저항률 100mm / 125mm / 150mm
- 약하게 도핑N형: 1-40
- 약하게 도핑 P형: 1-100
- 강하게 도핑N형: 0.0007-1
- 강하게 도핑 P형: 0.001-1
200mm
- 약하게 도핑N형: 1–40
- 약하게 도핑 P형: 1–60
애플리케이션
AP 칩, DRAM, Flash, MCU, PMIC, 센서집, 일반 IC, 로직 디바이스 등 광범위한 반도체 제조용
에피택셜(EPI) 웨이퍼
지름
150mm / 200mm / 300mm
에피층 두께
1µm ~ 100µm
도핑
N형 / P형 (고저항·저저항 모두 가능)
저항률
- N형: 0.001-100
- P형: 0.001-50
- 고전력용: 맞춤 저항률 제공
애플리케이션
전기차 IGBT, MOSFET, 산업용 파워 반도체, 서버 전력칩, PMIC, 자동차 ECU, 고신뢰성 반도체
애플리케이션
AP 칩, DRAM, Flash, MCU, PMIC, 센서집, 일반 IC, 로직 디바이스 등 광범위한 반도체 제조용
SOI 웨이퍼 (Silicon On Insulator)
지름
200mm / 300mm
구조
Device Si / BOX / Handle Si
도핑
경도핑 / 비도핑 대응
BOX 두께
- 100nm ~ 3μm
Device Layer 두께
- 20nm ~ µm
애플리케이션
5G RF-SOI 칩, 초저전력 IoT
아르곤 열처리(Argon Annealed) 웨이퍼
지름
150mm / 200mm /300mm
공정
고순도 Ar 환경 열처리
도핑
N형, P형 모두 가능
적용 스펙
- 100nm ~ 3μm
저항률
- 금속 오염 농도 최소화
- 결함 밀도(Density) 개선
- 고신뢰성 공정을 위한 표면 안정도 강화
애플리케이션
고성능 AP·GPU 칩, 서버 AI칩, EV 파워반도체, 의료기기용 신호처리칩(MRI/CT), 산업·군사용 고신뢰성 반도체
SiC 에피택셜 웨이퍼 (실리콘카바이드)
지름
100mm / 150mm
유형
4H-SiC
도핑
N형(전력 소자용), P형 일부 대응
적용 스펙
- 100nm ~ 3μm
저항률
- N형: 0.02-20
- 에피층 두께: 2µm ~120μm
- 표면거칠기: ≤0.5nm
애플리케이션
전기차 인버터, 초고속 EV 충전기, 태양광 인버터, 대형 모터제어, 항공·방산 파워모듈
Silicon 기반 GaN 에피택셜 웨이퍼 (GaN-on-Si)
지름
150mm / 200mm
구조
GaN / AlGaN / Buffer / Si
도핑
비도핑 / 경도핑
전기적 스펙
- 2DEG 밀도: 0.8~1.2×10¹³cm²
- Mobility: 1200~2000cm²/Vs
- GaN 층: 1µm ~ 5µm
애플리케이션
GaN 고속 충전기, 5G RF PA, 데이터센터 전력모듈, 드론·로봇 전력변환, EV OBC(온보드 차저)
특징과 적용 분야
FZ (초고순도·초고저항·전력특화)
특징
불순물과 산소 함량을 최소화한 초고순도 구조로,
고전압·고전류 환경에 최적화된 전력 특화 웨이퍼
응용 분야
전기차(EV), 전력 반도체, 산업용 전력 시스템
고전압·고효율 에너지 제어 분야
CZ (초대구경·고생산성·표준기술)
특징
초대구경 단결정 성장 기반의 고생산성 웨이퍼 공정으로,
반도체 산업 전반의 표준 기술로 자리잡은 핵심 공정
응용 분야
스마트폰, PC, 서버 등 메모리 및 로직 반도체 전반
소비자 전자 및 대량 생산 반도체 산업
미래 성장성
글로벌 반도체 수요 증가와 함께 안정적인 공급 기반을 형성하며,
산업 전반을 지탱하는 핵심 인프라 기술
MCZ (정밀제어·초균일·고집적)
특징
자기장 제어 기반의 정밀 결정 성장 기술로,
초균일 구조와 저결함 특성을 구현한 고집적 대응 공정
응용 분야
DRAM, NAND 등 고집적 메모리 반도체
AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅
미래 성장성
데이터 중심 산업 확장에 따라
고성능 메모리 시장을 견인하는 핵심 기술
GaN (초고속·고주파·고효율)
특징
와이드 밴드갭 기반의 초고속 스위칭과
고주파 동작에 최적화된 차세대 화합물 반도체
응용 분야
5G 통신, RF 모듈, 고속 충전, 전력 변환 시스템
차세대 통신 및 전력 전자 분야
미래 성장성
통신 고도화 및 전력 효율 기술 발전과 함께
차세대 반도체 시장을 주도하는 핵심 소재
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